رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK3844(Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK3844(Q)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 45A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12889349
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK3844(Q) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
45A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.8mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
12400 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
2SK3844
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOTF2606L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOTF2606L-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD18537NKCS
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
2388
DiGi رقم الجزء
CSD18537NKCS-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK8A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
SSM6J212FE,LF
MOSFET P-CH 20V 4A ES6
2SK3566(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
