رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1A01F-Y(TE85L,F)-DG
وصف:
TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SM6
المخزون:
12891374
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1A01F-Y(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SM6
رقم المنتج الأساسي
HN1A01
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN1A01F-Y(TE85LF)DKR
HN1A01F-Y(TE85LF)CT
HN1A01F-Y(TE85LF)TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
UMT1NTN
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
18393
DiGi رقم الجزء
UMT1NTN-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
UMT1NFHATN
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
6022
DiGi رقم الجزء
UMT1NFHATN-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HN1C01FE-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
2SC4207-Y(TE85L,F)
TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV
HN1C01F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
