رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1C01FU-Y,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1C01FU-Y,LF-DG
وصف:
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
24787 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889131
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1C01FU-Y,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
HN1C01
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN1C01FU-YLFDKR
HN1C01FU-Y,LF(B
HN1C01FU-YLFCT
HN1C01FU-YLFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HN3C51F-GR(TE85L,F
TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
HN1C01FU-GR,LF
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
HN3A51F(TE85L,F)
TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
