HN4B04J(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HN4B04J(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

HN4B04J(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV

المخزون:

12891332
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HN4B04J(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN, PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 100mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74A, SOT-753
حزمة جهاز المورد
SMV
رقم المنتج الأساسي
HN4B04

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN4B04JTE85LF
HN4B04J(TE85LF)CT
HN4B04J(TE85LF)DKR
HN4B04J(TE85LF)TR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMMT3904W-7

TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FE-GR,LF

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV