رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN1708,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN1708,LF-DG
وصف:
NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
المخزون:
2753 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891273
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
GwYx
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN1708,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
حزمة جهاز المورد
USV
رقم المنتج الأساسي
RN1708
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-RN1708,LFCT
264-RN1708,LFDKR
RN1708LFDKR
RN1708,LF(B
RN1708LFTR
RN1708LFCT
RN1708LFDKR-DG
264-RN1708,LFTR
RN1708LFTR-DG
RN1708LFCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN1706JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1601(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2909,LF(CT
PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH