RN1708,LF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN1708,LF

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN1708,LF-DG

وصف:

NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV

المخزون:

2753 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891273
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
89cN
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN1708,LF المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
250MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
حزمة جهاز المورد
USV
رقم المنتج الأساسي
RN1708

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-RN1708,LFCT
264-RN1708,LFDKR
RN1708LFDKR
RN1708,LF(B
RN1708LFTR
RN1708LFCT
RN1708LFDKR-DG
264-RN1708,LFTR
RN1708LFTR-DG
RN1708LFCT-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1706JE(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1601(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2909,LF(CT

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1610(TE85L,F)

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6