RN2510(TE85L,F)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

RN2510(TE85L,F)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

RN2510(TE85L,F)-DG

وصف:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SMV

المخزون:

3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891518
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

RN2510(TE85L,F) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74A, SOT-753
حزمة جهاز المورد
SMV
رقم المنتج الأساسي
RN2510

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN2510(TE85LF)DKR
RN2510 (TE85L,F)
RN2510(TE85LF)TR
RN2510(TE85LF)CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2504(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4905T5LFT

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN4604(TE85L,F)

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2709,LF

PNPX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH