رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
RN4908(T5L,F,T)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
RN4908(T5L,F,T)-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
12889442
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
UYwY
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
RN4908(T5L,F,T) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
22kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
47kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 250µA, 5mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
RN4908
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
RN4908(T5LFT)DKR
RN4908(T5LFT)TR
RN4908(T5LFT)CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PUMD16,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
52169
DiGi رقم الجزء
PUMD16,115-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RN2967(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1607(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN2602(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
