رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3J129TU(TE85L)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3J129TU(TE85L)-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM
المخزون:
12890858
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3J129TU(TE85L) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSV
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.1 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
640 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UFM
العبوة / العلبة
3-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM3J129
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3J129TUTE85L
SSM3J129TU(TE85L)DKR
SSM3J129TU(TE85L)CT
SSM3J129TU(TE85L)TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3J133TU,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
106343
DiGi رقم الجزء
SSM3J133TU,LF-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK560P60Y,RQ
MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK
TK11A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 11A TO220SIS
2SK1828TE85LF
MOSFET N-CH 20V 50MA SC59
