رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3K01T(TE85L,F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3K01T(TE85L,F)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSM
المخزون:
12889232
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3K01T(TE85L,F) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
π-MOSVI
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 1.6A, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
152 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TSM
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SSM3K01
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3K01T(TE85LF)CT
SSM3K01T(TE85LF)DKR
SSM3K01TTE85LF
SSM3K01T(TE85LF)TR
SSM3K01T (TE85L,F)
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3K324R,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
24151
DiGi رقم الجزء
SSM3K324R,LF-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PMV90ENER
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
35690
DiGi رقم الجزء
PMV90ENER-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSH108,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
99887
DiGi رقم الجزء
BSH108,215-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3K56MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 800MA VESM
TK80S06K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
TK13E25D,S1X(S
MOSFET N-CH 250V 13A TO220-3
