رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3K324R,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3K324R,LF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
المخزون:
24151 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889189
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3K324R,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
190 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23F
العبوة / العلبة
SOT-23-3 Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM3K324
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM3K324R,LF(T
SSM3K324RLF
SSM3K324RLFTR
SSM3K324RLFDKR
SSM3K324R,LF(B
SSM3K324RLFCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SK3309(TE24L,Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
TK4A60DB(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220SIS