رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM3K15ACT(TPL3)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM3K15ACT(TPL3)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
المخزون:
12890632
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM3K15ACT(TPL3) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSIII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 100µA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13.5 pF @ 3 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
CST3
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
رقم المنتج الأساسي
SSM3K15
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
SSM3K15ACT(TPL3)DKR
SSM3K15ACTTPL3
SSM3K15ACT(TPL3)CT
SSM3K15ACT(TPL3)TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SSM3K15ACT,L3F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
26967
DiGi رقم الجزء
SSM3K15ACT,L3F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
PMZB550UNEYL
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10529
DiGi رقم الجزء
PMZB550UNEYL-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPHR9203PL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
TK40E06N1,S1X
MOSFET N-CH 60V 40A TO220
TK62N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247