رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM5H90ATU,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM5H90ATU,LF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 2.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
المخزون:
960 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890158
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM5H90ATU,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 1.5A, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.2 nC @ 4 V
Vgs (ماكس)
±10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
200 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
UFV
العبوة / العلبة
5-SMD, Flat Leads
رقم المنتج الأساسي
SSM5H90
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM5H90ATULFTR-DG
264-SSM5H90ATU,LFDKR
SSM5H90ATULFCT
SSM5H90ATULFDKR-DG
SSM5H90ATU,LF(B
SSM5H90ATULFTR
SSM5H90ATULFDKR
SSM5H90ATU,LF(T
264-SSM5H90ATU,LFCT
264-SSM5H90ATU,LFTR
SSM5H90ATULFCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK15J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 15A TO3P
2SK3700(F)
MOSFET N-CH 900V 5A TO3P
TK20N60W,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
