رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6J501NU,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6J501NU,LF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
المخزون:
106283 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889406
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6J501NU,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29.9 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2600 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-UDFNB (2x2)
العبوة / العلبة
6-WDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
SSM6J501
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NULF(TDKR
SSM6J501NULFCT
SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TDKR-DG
SSM6J501NULF(TCT
SSM6J501NULFDKR
SSM6J501NULF(TTR-DG
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF(TCT-DG
SSM6J501NULFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SJ438(CANO,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
SSM3K329R,LF
MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A
TK4A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3.5A TO220SIS
