رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SSM6N15AFU,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
SSM6N15AFU,LF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 100mA 300mW Surface Mount US6
المخزون:
1059 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889219
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SSM6N15AFU,LF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13.5pF @ 3V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
SSM6N15
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SSM6N15AFULFCT
SSM6N15AFULF
SSM6N15AFU,LF(B
SSM6N15AFULFDKR
SSM6N15AFU,LF(D
SSM6N15AFU,LF(T
SSM6N15AFULF(D
SSM6N15AFULF(D-DG
SSM6N15AFULFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NX3020NAKS,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
73690
DiGi رقم الجزء
NX3020NAKS,115-DG
سعر الوحدة
0.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6L09FUTE85LF
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
SSM6N815R,LF
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
DMN2300UFL4-7
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN