الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 8A (Ta) 27W (Tc) Surface Mount DPAK+
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12889330
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVI
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
104mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+10V, -20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
890 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
27W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK+
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TJ8S06
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
TJ8S06M3L
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
TJ8S06M3LT6L1NQ
264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)CT
264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TR
TJ8S06M3L(T6L1NQ)-DG
264-TJ8S06M3L(T6L1,NQ)DKR
TJ8S06M3L(T6L1NQ)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOD407
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
182869
DiGi رقم الجزء
AOD407-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXMP6A17KTC
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2846
DiGi رقم الجزء
ZXMP6A17KTC-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPD18P06PGBTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8345
DiGi رقم الجزء
SPD18P06PGBTMA1-DG
سعر الوحدة
0.48
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6P16FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
TK20N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
TK31N60W5,S1VF
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247