الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK31N60W5,S1VF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK31N60W5,S1VF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12889343
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK31N60W5,S1VF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
99mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3000 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
230W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
TK31N60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
TK31N60W5
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
TK31N60W5,S1VF-DG
TK31N60W5S1VF
TK31N60W5,S1VF(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
APT30N60BC6
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
2
DiGi رقم الجزء
APT30N60BC6-DG
سعر الوحدة
5.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SPW35N60C3FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
198
DiGi رقم الجزء
SPW35N60C3FKSA1-DG
سعر الوحدة
5.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPW60R099P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
54
DiGi رقم الجزء
IPW60R099P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
2.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXKH35N60C5
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
117
DiGi رقم الجزء
IXKH35N60C5-DG
سعر الوحدة
6.79
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3K36FS,LF
MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
SSM3J168F,LF
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
2SK3844(Q)
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
TK8A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS