TK100E08N1,S1X
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TK100E08N1,S1X

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TK100E08N1,S1X-DG

وصف:

MOSFET N-CH 80V 100A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220

المخزون:

57 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889125
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TK100E08N1,S1X المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9000 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
255W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
TK100E08

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

2SK2993(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K72CFS,LF

MOSFET N-CH 60V 170MA SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK4P55DA(T6RSS-Q)

MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J14TTE85LF

MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM