رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK10S04K3L(T6L1,NQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK10S04K3L(T6L1,NQ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 10A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 10A (Ta) 25W (Tc) Surface Mount DPAK+
المخزون:
12890148
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK10S04K3L(T6L1,NQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSIV
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
410 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK+
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TK10S04
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
TK10S04K3L(T6L1NQ
TK10S04K3LT6L1NQ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK15S04N1L,LXHQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1995
DiGi رقم الجزء
TK15S04N1L,LXHQ-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCA8051-H(T2L1,VM
MOSFET N-CH 80V 28A 8SOP
SSM5H90ATU,LF
MOSFET N-CH 20V 2.4A UFV
TK15J60U(F)
MOSFET N-CH 600V 15A TO3P