الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK11A60D(STA4,Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK11A60D(STA4,Q,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12890568
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK11A60D(STA4,Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
π-MOSVII
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK11A60
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK11A60D(STA4QM)
TK11A60DSTA4QM
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDPF12N60NZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
174
DiGi رقم الجزء
FDPF12N60NZ-DG
سعر الوحدة
0.90
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPAN60R650CEXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPAN60R650CEXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK650A60F,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
98
DiGi رقم الجزء
TK650A60F,S4X-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA80R750P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPA80R750P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF10N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF10N62K3-DG
سعر الوحدة
1.04
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
TPCA8028-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
TPCP8005-H(TE85L,F
MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
TK3A65DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS