رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK12A50D(STA4,Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK12A50D(STA4,Q,M)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
5 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890331
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK12A50D(STA4,Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
π-MOSVII
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
520mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK12A50
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK12A50DSTA4QM
TK12A50D(STA4QM)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFIB7N50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
813
DiGi رقم الجزء
IRFIB7N50APBF-DG
سعر الوحدة
1.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STF13NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1883
DiGi رقم الجزء
STF13NK50Z-DG
سعر الوحدة
1.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQPF13N50CF
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
719
DiGi رقم الجزء
FQPF13N50CF-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF12N50NZ
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
FDPF12N50NZ-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R5011FNX
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
R5011FNX-DG
سعر الوحدة
2.65
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK58A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
