رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK14N65W,S1F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK14N65W,S1F-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
12891590
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK14N65W,S1F المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 690µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1300 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
130W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
TK14N65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
TK14N65WS1F
TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTH30N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
648
DiGi رقم الجزء
IXTH30N60P-DG
سعر الوحدة
5.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW18N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
476
DiGi رقم الجزء
STW18N60M2-DG
سعر الوحدة
1.26
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6J503NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
TK65S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
