الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK25E60X5,S1X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK25E60X5,S1X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-220
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12889753
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK25E60X5,S1X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
140mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1.2mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2400 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
TK25E60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
TK25E60X5
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK25E60X5S1X
264-TK25E60X5,S1X
TK25E60X5,S1X(S
TK25E60X5S1X-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPP65R125C7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
470
DiGi رقم الجزء
IPP65R125C7XKSA1-DG
سعر الوحدة
2.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP33N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
727
DiGi رقم الجزء
STP33N60M2-DG
سعر الوحدة
2.08
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOTF42S60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
1270
DiGi رقم الجزء
AOTF42S60L-DG
سعر الوحدة
2.89
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
TK25N60X5,S1F
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
30
DiGi رقم الجزء
TK25N60X5,S1F-DG
سعر الوحدة
1.98
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6J215FE(TE85L,F
MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
SSM3J145TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3A UFM
TK3R1A04PL,S4X
MOSFET N-CH 40V 82A TO220SIS
SSM5H16TU,LF
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV