رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK2P60D(TE16L1,NV)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK2P60D(TE16L1,NV)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
المخزون:
12891222
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK2P60D(TE16L1,NV) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
280 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
60W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PW-MOLD
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TK2P60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
TK2P60D(TE16L1NV)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD3NK80ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2502
DiGi رقم الجزء
STD3NK80ZT4-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3K16CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C
TK7P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 7A DPAK
2SJ438,Q(M
MOSFET P-CH TO220NIS
