رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK50E10K3(S1SS-Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK50E10K3(S1SS-Q)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
وصف تفصيلي:
Through Hole TO-220-3
المخزون:
12889565
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK50E10K3(S1SS-Q) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
-
التقنية
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
-
رقم المنتج الأساسي
TK50E10
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK50E10K3S1SSQ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK33S10N1L,LQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1997
DiGi رقم الجزء
TK33S10N1L,LQ-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J334R,LF
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
SSM3K35AFS,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
TK4P60DA(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
