رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK72A08N1,S4X
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK72A08N1,S4X-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 80A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 80A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
20 قطع جديدة أصلية في المخزون
12890974
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK72A08N1,S4X المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Bulk
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8200 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK72A08
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK72A08N1S4X(S
TK72A08N1,S4X-DG
TK72A08N1S4X
TK80A08K3(Q,M)
TK80A08K3(QM)
TK80A08K3(QM)-DG
TK80A08K3Q-DG
TK80A08K3(Q)
TK80A08K3Q
TK72A08N1S4XINACTIVE
TK72A08N1S4X(S-DG
TK72A08N1S4XS
TK72A08N1,S4X(S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK4R1A10PL,S4X
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
48
DiGi رقم الجزء
TK4R1A10PL,S4X-DG
سعر الوحدة
0.77
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCF8A01(TE85L)
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
TK2A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
SSM3K344R,LF
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F
