رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK8A60W5,S5VX
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK8A60W5,S5VX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
المخزون:
12889169
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK8A60W5,S5VX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
DTMOSIV
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
540mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 400µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
590 pF @ 300 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220SIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
TK8A60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TK8A60W5S5VX
TK8A60W5,S5VX(M
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF11N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4
DiGi رقم الجزء
STF11N65M5-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPA60R600P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
IPA60R600P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCPF7N60
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
988
DiGi رقم الجزء
FCPF7N60-DG
سعر الوحدة
1.08
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
DMT6002LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
SSM3J66MFV,L3F
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
