رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPCA8008-H(TE12L,Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPCA8008-H(TE12L,Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 4A (Ta) 1.6W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
12890540
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPCA8008-H(TE12L,Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
580mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 45W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPCA8008
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPCA8008HTE12LQDKR
TPCA8008HTE12LQ
TPCA8008HTE12LQTR
TPCA8008HTE12LQCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK7P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
TK16A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
SSM3J340R,LF
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
