TPCC8002-H(TE12L,Q
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TPCC8002-H(TE12L,Q

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TPCC8002-H(TE12L,Q-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)

المخزون:

12890449
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TPCC8002-H(TE12L,Q المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSV-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.3mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2500 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-VDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
TPCC8002

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPCC8002-H(TE12LQTR
TPCC8002HTE12LQ
TPCC8002-H(TE12LQDKR
TPCC8002-H(TE12LQCT
1246-TPCC8002-H(TE12LQ

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
TPN8R903NL,LQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5561
DiGi رقم الجزء
TPN8R903NL,LQ-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
NTTFS4C13NTAG
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1349
DiGi رقم الجزء
NTTFS4C13NTAG-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17308Q3
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
36157
DiGi رقم الجزء
CSD17308Q3-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RQ3E120BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2880
DiGi رقم الجزء
RQ3E120BNTB-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17551Q3A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
5174
DiGi رقم الجزء
CSD17551Q3A-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8115(TE12L,Q,M)

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH3R203NL,L1Q

MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J507NU,LF

MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK7A55D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS