رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPCP8001-H(TE85LFM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPCP8001-H(TE85LFM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 7.2A (Ta) 1W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PS-8 (2.9x2.4)
المخزون:
12890538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPCP8001-H(TE85LFM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSIII
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
640 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta), 30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PS-8 (2.9x2.4)
العبوة / العلبة
8-SMD, Flat Lead
رقم المنتج الأساسي
TPCP8001
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RMW130N03TB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
4815
DiGi رقم الجزء
RMW130N03TB-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STS10N3LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4575
DiGi رقم الجزء
STS10N3LH5-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPCA8008-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 250V 4A 8SOP
TK7P60W5,RVQ
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
TK16A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 16A TO220SIS
