رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPH4R003NL,L1Q
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPH4R003NL,L1Q-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 1.6W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
المخزون:
12890799
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPH4R003NL,L1Q المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta), 36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP Advance (5x5)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPH4R003
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPH4R003NL,L1Q(M
TPH4R003NLL1QTR
TPH4R003NLL1QCT
TPH4R003NLL1QDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3E180AJTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
16588
DiGi رقم الجزء
RQ3E180AJTB-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RJK03M3DPA-00#J5A
المُصنِّع
Renesas Electronics Corporation
الكمية المتاحة
6000
DiGi رقم الجزء
RJK03M3DPA-00#J5A-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
