رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPN11003NL,LQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPN11003NL,LQ-DG
وصف:
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 700mW (Ta), 19W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
المخزون:
2619 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891204
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPN11003NL,LQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 19W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.1x3.1)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPN11003
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPN11003NLLQCT
TPN11003NL,LQ(S
TPN11003NLLQDKR
TPN11003NLLQTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3E120GNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
11286
DiGi رقم الجزء
RQ3E120GNTB-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM6J214FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
TPC8032-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
TK18A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 18A TO220SIS