رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TPC8A05-H(TE12L,QM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TPC8A05-H(TE12L,QM-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
المخزون:
12891212
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TPC8A05-H(TE12L,QM المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
U-MOSV-H
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1700 pF @ 10 V
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOP (5.5x6.0)
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
رقم المنتج الأساسي
TPC8A05
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI2304BDS-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
65573
DiGi رقم الجزء
SI2304BDS-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3016LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
14193
DiGi رقم الجزء
DMN3016LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.14
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPC8048-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
2SK2967(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
TK160F10N1L,LQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
