رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TK160F10N1L,LQ
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TK160F10N1L,LQ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
المخزون:
12891217
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TK160F10N1L,LQ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
160A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
10100 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
175°C
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-220SM(W)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
TK160F10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
264-TK160F10N1L,LQDKR-DG
264-TK160F10N1L,LQCT-DG
264-TK160F10N1LLQCT
264-TK160F10N1LLQTR
264-TK160F10N1LLQDKR
264-TK160F10N1L,LQCT
TK160F10N1LLQ
264-TK160F10N1L,LQDKR
TK160F10N1LLQ-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK160F10N1L,LXGQ
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
8900
DiGi رقم الجزء
TK160F10N1L,LXGQ-DG
سعر الوحدة
1.53
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK2P60D(TE16L1,NV)
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
SSM3K16CTC,L3F
MOSFET N-CH 20V 200MA CST3C
TK7P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 7A DPAK
