TPN1110ENH,L1Q
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TPN1110ENH,L1Q

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

TPN1110ENH,L1Q-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 7.2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)

المخزون:

34748 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891567
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TPN1110ENH,L1Q المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
U-MOSVIII-H
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
114mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
600 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
700mW (Ta), 39W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-TSON Advance (3.1x3.1)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
TPN1110

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
TPN1110ENHL1QCT
TPN1110ENHL1QTR
TPN1110ENHL1QDKR
TPN1110ENH,L1Q(M

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMN2025UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 6.5A 6UDFN

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH14006NH,L1Q

MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

toshiba-semiconductor-and-storage

TK14N65W,S1F

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J503NU,LF

MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB