رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TTC012(Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
TTC012(Q)-DG
وصف:
TRANS NPN 375V 2A PW-MOLD2
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 2 A 1.1 W Through Hole PW-MOLD2
المخزون:
12890506
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TTC012(Q) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
375 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 62.5mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 300mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1.1 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
حزمة جهاز المورد
PW-MOLD2
رقم المنتج الأساسي
TTC012
معلومات إضافية
الباقة القياسية
200
اسماء اخرى
TTC012Q
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BULD118D-1
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
BULD118D-1-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC857AT-7
TRANS PNP 45V 0.1A SOT523
2SC3668-Y,T2F(J
TRANS NPN 50V 2A MSTM
TTA006B,Q(S
TRANSISTOR PNP BIPO TO126N
