رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HCT802TXV
Product Overview
المُصنّع:
TT Electronics/Optek Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
HCT802TXV-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
المخزون:
12810906
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HCT802TXV المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
TT Electronics / Optek Technology
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
90V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A, 1.1A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
-
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
70pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
500mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-SMD, No Lead
حزمة جهاز المورد
6-SMD
رقم المنتج الأساسي
HCT80
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
TC8220K6-G
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
TC8020K6-G-M937
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN