رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF644NPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF644NPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12882156
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF644NPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
240mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1060 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IRF644
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRF644NPBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK13E25D,S1X(S
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
44
DiGi رقم الجزء
TK13E25D,S1X(S-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFB4229PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
993
DiGi رقم الجزء
IRFB4229PBF-DG
سعر الوحدة
1.48
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP17NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2020
DiGi رقم الجزء
STP17NF25-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFI9520N
MOSFET P-CH 100V 5.5A TO220-3
DMN2022UFDF-13
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
DMJ70H600SH3
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
