رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFI744G
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFI744G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 450 V 4.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12912000
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFI744G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
450 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
630mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
IRFI744
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRFI744G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK9A45D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
50
DiGi رقم الجزء
TK9A45D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
TK11A45D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
46
DiGi رقم الجزء
TK11A45D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP2N65X2
MOSFET N-CH 650V 2A TO220
IRC630PBF
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-5
SI4448DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 50A 8SO
