رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFI830G
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFI830G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 3.1A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12911777
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFI830G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
610 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
رقم المنتج الأساسي
IRFI830
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
Q932707
*IRFI830G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TK5A50D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
34
DiGi رقم الجزء
TK5A50D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
TK5A55D(STA4,Q,M)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
47
DiGi رقم الجزء
TK5A55D(STA4,Q,M)-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFI830GPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
795
DiGi رقم الجزء
IRFI830GPBF-DG
سعر الوحدة
0.67
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
IRFP264
MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
IRF644PBF
MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB