رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFR1N60A
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFR1N60A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 1.4A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount DPAK
المخزون:
12961029
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFR1N60A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7Ohm @ 840mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
229 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
36W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DPAK
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IRFR1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFR1N60A
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD1NK60T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
7455
DiGi رقم الجزء
STD1NK60T4-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD1HN60K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1515
DiGi رقم الجزء
STD1HN60K3-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFR1N60APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
3041
DiGi رقم الجزء
IRFR1N60APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
IRFSL11N50APBF
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
SIRA00DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8