رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFS11N50ATRLP
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFS11N50ATRLP-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 11A TO263AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263AB
المخزون:
325 قطع جديدة أصلية في المخزون
12914471
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFS11N50ATRLP المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
520mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1423 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AB
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFS11
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
IRFS11N50ATRLPTR
IRFS11N50ATRLP-DG
IRFS11N50ATRLPDKR
IRFS11N50ATRLPCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA12N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
298
DiGi رقم الجزء
IXFA12N50P-DG
سعر الوحدة
1.82
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB11NK50ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
872
DiGi رقم الجزء
STB11NK50ZT4-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFR64N60Q3
MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
SI7738DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
IXTH270N04T4
MOSFET N-CH 40V 270A TO247
