رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFZ34STRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFZ34STRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12912557
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFZ34STRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 88W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFZ34
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BUK9675-55A,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
5546
DiGi رقم الجزء
BUK9675-55A,118-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN015-60BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
11707
DiGi رقم الجزء
PSMN015-60BS,118-DG
سعر الوحدة
0.51
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFZ10
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
IRFU320
MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
SI7390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
