رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI1025X-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI1025X-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 190mA 250mW Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
المخزون:
34282 قطع جديدة أصلية في المخزون
12962154
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI1025X-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
190mA
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
1.7nC @ 15V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
23pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
250mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SC-89 (SOT-563F)
رقم المنتج الأساسي
SI1025
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI1025XT1GE3
SI1025X-T1-GE3DKR
SI1025X-T1-GE3TR
SI1025X-T1-GE3CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4511DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
SI1917EDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
MSCSM170HRM075NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A
