SI4511DY-T1-GE3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

SI4511DY-T1-GE3

Product Overview

المُصنّع:

Vishay Siliconix

رقم الجزء DiGi Electronics:

SI4511DY-T1-GE3-DG

وصف:

MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

12962173
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

SI4511DY-T1-GE3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.2A, 4.6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.8V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1.1W
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI4511

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI4511DYT1GE3
SI4511DY-T1-GE3CT
SI4511DY-T1-GE3DKR
SI4511DY-T1-GE3TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
DMC2020USD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMC2020USD-13-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

SI1917EDH-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6

microchip-technology

MSCSM170HRM075NG

SIC 4N-CH 1700V/1200V 337A

vishay-siliconix

SI7540DP-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6