رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA910EDJ-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA910EDJ-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
المخزون:
2096 قطع جديدة أصلية في المخزون
12963199
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA910EDJ-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16nC @ 8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
455pF @ 6V
الطاقة - الحد الأقصى
7.8W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIA910
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIA910EDJ-T1-GE3DKR
SIA910EDJ-T1-GE3CT
SIA910EDJ-T1-GE3TR
SIA910EDJT1GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FS03MR12A6MA1LB
SIC 6N-CH 1200V AG-HYBRIDD
SI4505DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
SSM6N7002KFU,LXH
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
