الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI2309DS-T1-E3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI2309DS-T1-E3-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 1.25A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12915550
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI2309DS-T1-E3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.25A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
340mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3 (TO-236)
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
SI2309
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SI2309DS-T1-E3TR
SI2309DS-T1-E3DKR
SI2309DS-T1-E3CT
SI2309DST1E3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDN5618P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
31131
DiGi رقم الجزء
FDN5618P-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMP6A13FQTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
12102
DiGi رقم الجزء
ZXMP6A13FQTA-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
NTR4502PT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NTR4502PT1G-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMP6350S-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
70321
DiGi رقم الجزء
DMP6350S-7-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIHP7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
IRFR014TRR
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFU224
MOSFET N-CH 250V 3.8A TO251AA
SI7114DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8