الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4384DY-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4384DY-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12918348
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4384DY-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.47W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
SI4384
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SI4384DY
مخططات البيانات
SI4384DY-T1-GE3
ورقة بيانات HTML
SI4384DY-T1-GE3-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
2266-SI4384DY-T1-GE3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7809AVTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1
DiGi رقم الجزء
IRF7809AVTRPBF-DG
سعر الوحدة
1.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF7821TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
16602
DiGi رقم الجزء
IRF7821TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF7413ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2211
DiGi رقم الجزء
IRF7413ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSO110N03MSGXUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7364
DiGi رقم الجزء
BSO110N03MSGXUMA1-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF7458TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
14926
DiGi رقم الجزء
IRF7458TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SQM35N30-97_GE3
MOSFET N-CH 300V 35A TO263
SQJ415EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
SIA468DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70
SI4178DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO