رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4816BDY-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4816BDY-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12913520
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4816BDY-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
LITTLE FOOT®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.8A, 8.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
1W, 1.25W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI4816
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI4816BDYT1GE3
SI4816BDY-T1-GE3CT
SI4816BDY-T1-GE3TR
SI4816BDY-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7960DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
SI4539ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
