رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SI4830CDY-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SI4830CDY-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12912355
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SI4830CDY-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
-
سلسلة
LITTLE FOOT®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Half Bridge)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
950pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2.9W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
SI4830
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SI4830CDYT1GE3
SI4830CDY-T1-GE3CT
SI4830CDY-T1-GE3TR
SI4830CDY-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI4816BDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SI4816BDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMG4822SSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4911
DiGi رقم الجزء
DMG4822SSD-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI3911DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
SI1905BDH-T1-E3
MOSFET 2P-CH 8V 0.63A SC70-6
SI5975DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A 1206-8
