الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIA907EDJT-T1-GE3
Product Overview
المُصنّع:
Vishay Siliconix
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIA907EDJT-T1-GE3-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
المخزون:
760 قطع جديدة أصلية في المخزون
12918347
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIA907EDJT-T1-GE3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Vishay
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Not For New Designs
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
الطاقة - الحد الأقصى
7.8W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
PowerPAK® SC-70-6 Dual
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SC-70-6 Dual
رقم المنتج الأساسي
SIA907
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SIA907EDJT-T1-GE3
مخططات البيانات
SIA907EDJT-T1-GE3
ورقة بيانات HTML
SIA907EDJT-T1-GE3-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SIA907EDJT-T1-GE3-DG
SIA907EDJT-T1-GE3TR
SIA907EDJT-T1-GE3CT
SIA907EDJT-T1-GE3DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMDPB58UPE,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
17912
DiGi رقم الجزء
PMDPB58UPE,115-DG
سعر الوحدة
0.11
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PMDPB55XP,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
1754
DiGi رقم الجزء
PMDPB55XP,115-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMP2160UFDBQ-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
16523
DiGi رقم الجزء
DMP2160UFDBQ-7-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI1563DH-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
SQJB60EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
SI9936BDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
NTZD5110NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563